来源：2016-05-06 | 人围观
OFweek电子工程网讯 经过数十年的发展，DRAM目前面临越发困难的处境：PC市场的萎靡带来的需求不振，DRAM制程升级的的成本不断攀升。这使得目前业界正在纷纷积极寻找DRAM的替代品，但是DRAM真是一个不得已而为之的选择吗？从目前DRAM的出货量来看，短期之内并不会有大的变化。但在长期，DRAM留下的市场空间将必是各路新兴技术的必争之地：这就是在今天这个环境下继续深入研究DRAM的意义。
由于DRAM制程升级开始减速，供应商们开始着眼于替代封装技术和新型内存类型与架构。
DRAM一直是一个具有挑战性的行业。多年来，在竞争环境下DRAM供应商已经经历了多次繁荣和萧条的循环。但是现在，该行业面对着一个阴晴不定，甚至可以说是无法确定的未来。
一方面，DRAM供应商在2016年面临着产能过剩和价格下降之间的衰退。
但尽管存在商业挑战，美光、三星和SK海力士仍在制程升级的竞争中全速前进，并希望在今年或明年突破20nm。然而随着1xnm节点上的技术失去了动力，DRAM制程升级也接近了尾声。
DRAM制造商和他们的消费者还面临着其他挑战。有一段时间，DRAM无法跟上当今系统的宽带需求，推进了对替换技术的需求。为此，该行业制定了一系列的解决方案，如3D DRAM和各种下一代存储器类型。
问题是什么？在可预见的未来的OEM有充分的理由必须继续使用二维DRAM。现在，仍然没有可以在速度、密度和成本方面赶得上二维DRAM的替代技术。
网络设备巨头思科系统工程技术负责人Charles Slayman 认为，目前存在几种候选技术，但是没有一种可以称得上是明确的替代方案来解决刚才的问题。
这同样适用于还在继续扩产的NAND闪存。Slayman认为，闪存和DRAM会停留很长一段时间，DRAM不是停滞不前的，它会继续取得进展，但是不会以曾经那样极快的速度发展。从工艺节点升级中会获取一些收益，尽管这些收益会变得愈发难以获得。
无论如何，OEM可以通过集中途径获取主存储器零件。为了协助OEM的生产，半导体工程已经研究了下面几种存储技术的现状——二维DRAM；3D或者堆叠式DRAM；和下一代存储技术。